내일도 렛유인

반도체

반도체 공정/설비: 기초이론 및 실무응용 과정

터치다운, 공대누나

수강기간

30일

프로젝트/과제

3개

강의구성

21차시

수료 기준

진도율 80%

평가 응시

교육 과정 유형

고용24 수강신청
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수강신청은 학습시작 전일 오후 2시에 마감 됩니다.(영업일 기준)

내일 배움 카드로만 신청 및 결제가 가능합니다.

동일 과정은 재수강이 불가합니다.

수강신청 → 훈련생 검토 → 선발 → 자비부담금 결제
→ 수강 확정 순으로 진행됩니다.

선발된 훈련생에게는 별도로 결제 링크를 안내해드립니다.

수강료

500,000원

90%

0원

	마감	기수	신청기간	학습기간
강의 준비 중입니다.

훈련 목표

반도체에 대한 기본적인 개념을 토대로 반도체 공정 프로세스 및 각 공정에 사용되는 설비에 대하여 학습할 수 있다.
반도체 공정에 사용되는 기초 이론을 이해하고, 각 공정에서 중요하게 여겨지는 공정 요소에 대해 학습할 수 있다.
차세대 반도체에서 가장 중요한 미세 패턴 형성에 대해서 학습하고 미세 패턴 시 생기는 문제를 분석 및 해결하는 방법에 대하여 학습할 수 있다.
고성능 반도체에서 필요한 Trench 구조에서 식각 공정 진행 시 생길 수 있는 문제에 대하여 예측하고 앞서 배운 포토 공정과 연계하여 식각 공정을 진행할 수 있는 방법에 대하여 학습할 수 있다.
Damascene 공정의 프로세스를 이해하고 해당 구조와 소재의 특성에 대해서 이해하고 학습할 수 있다.

훈련 대상

반도체 제조사의 공정기술/설비기술 직무 및 ASML, TEL, AMAT과 같은 반도체 장비사 Engineer 취업 희망자
화학과, 화학공학과, 신소재/재료공학과 등 전기화학에 대한 기초 지식이 있는 수강생
비전공자이지만 반도체 메이커 기업체에 취업을 희망하는 수강생
반도체 산업에 대한 실무적 역량을 쌓아 차별화된 직무역량을 어필하고 싶은 싶은 수강생

교수진 소개

터치다운 선생님

경력

- 삼성전자(주) 공정 개발 관리 2년
- 반도체 특허부문 변리사 2년

공대누나 선생님

경력

- 반도체 대기업 설비 직무 10년차
- 렛유인 현직자 care 담당멘토
- 학부생 대상 직무 특강 강사

학력

- 기계공학 학사

평가 방법 및 수료 기준

진도율

수료 기준

80%

평가 방법

진도율 80% 이상

평가

수료 기준

응시

평가 방법

프로젝트 과제 제출 이후, 제출한 프로젝트 결과물에 따라 교·강사의 피드백 진행

부정행위 금지 안내

모사 답안 관련 안내

모사답안 적용 대상: 주관서술형, 과제(레포트)
모사율: 100% 일치 했을 시
타인의 답안을 그대로 제출하거나 내용의 일부를 수정하여 제출한 경우 0점 처리
모사답안확인 방법
- 시스템을 통한 모사답안 가능자 체크
- 교강사에 의한 모사답안 체크관리
- 학습 지원팀(운영자) 모사답안 체크관리

부정행위 금지에 대한 안내

공지된 훈련 일정에 따라 본인이 직접 훈련을 수강하여야 합니다.
대리 또는 허위 수강 및 평가 응시할 경우 부정훈련으로 간주되어 훈련비용을 지원받을 수 없습니다.
대리 또는 허위 수강 및 평가 응시는 IP 추적 등을 통해, 과제(있을 경우)의 모사행위는 시스템으로 적발 및 확인하고 있으며, 적발 시 쌍방(모사자/피모사자)이 동일한 불이익을 받을 수 있습니다.
실습 과제, 평가 등의 대리, 허위 작성 및 기타 부정한 방법으로 수료하여 훈련비용을 지원받거나 받고자 하는 경우, 향후 1년간 고용보험법상 직업능력개발훈련비용지원이 제한될 수 있습니다.

훈련 내용

차시	차시명	학습시간
사전평가	반도체 공정/설비: 기초이론 및 실무응용 - 사전 평가	응시
1차시	반도체 기초 이론: 공정 개요	21분 21초
2차시	반도체 기초 이론: 설비 & Utility	23분 57초
3차시	반도체 기초 이론: 진공 & 진공 펌프	12분 41초
4차시	반도체 기초 이론: 진공의 특성	15분 42초
5차시	반도체 기초 이론: 플라즈마	30분 18초
6차시	반도체 핵심 공정: 포토 공정(1)	16분 1초
7차시	반도체 핵심 공정: 포토 공정(2)	19분 53초
8차시	반도체 핵심 공정: 포토 공정 - 노광 공정	30분 45초
9차시	반도체 핵심 공정: 포토 공정 - EUV 공정	13분 19초
과제	[프로젝트 1] 포토 공정 미세 패턴 형성	30점
10차시	반도체 핵심 공정: 식각 공정 - 정의 및 종류	14분 12초
11차시	반도체 핵심 공정: 식각 공정 - 특성 & Issue	11분 18초
12차시	반도체 핵심 공정: 식각 공정 - 건식 식각	24분 18초
13차시	반도체 핵심 공정: 박막 공정 - PVD	26분 6초
14차시	반도체 핵심 공정: 박막 공정 - CVD	32분 57초
과제	[프로젝트 2] Trench 구조 식각 공정 방법	30점
15차시	반도체 핵심 공정: 배선 공정 - Al 배선 공정	17분 37초
16차시	반도체 핵심 공정: 배선 공정 - Damascene 공정	12분 41초
17차시	반도체 핵심 공정: 산화 공정	25분 55초
18차시	반도체 핵심 공정: 도핑 공정 - 정의 및 종류	15분 7초
19차시	반도체 핵심 공정: 도핑 공정 - 이온주입 공정	17분 21초
20차시	반도체 핵심 공정: CMP 공정	12분 39초
21차시	반도체 핵심 공정: Cleaning 공정	14분 56초
과제	[프로젝트 3] Damascene 공정 process flow 이해	40점

강의 준비 중입니다.